士蘭微新一代高壓650V MOSFET系列，采用Super-Junction（超結）結構，工作電流在5A—20A之間，打破VDMOS器件Rdson與BVDSS之間的矛盾關系，在降低器件的導通電阻的同時，BVDSS可以做到幾乎不變，廣泛應用于工業電源，LED屏電源，調光電源等硬/軟開關拓撲領域。

　　

　　STS65R900D(F)S2 漏源電壓650V， 漏極電流5A，導通電阻RDS(on)(典型值)=0.75Ω@VGS=10V，有T0-252-2L、T0-220F-3L多種封裝。
　　

　　STS65R580D(F)(S)S2漏源電壓650V， 漏極電流8A， 導通電阻RDS(on)(典型值)=0.52Ω@VGS=10V，有T0-252-2L、T0-220F-3L、T0-263-2L多種封裝。
　　

　　STS65R360D(F)S2漏源電壓650V， 漏極電流12A，導通電阻RDS(on)(典型值)=0.3Ω@VGS=10V，有T0-252-2L、T0-220F-3L多種封裝。　
　

　　STS65R280D(F)S2 漏源電壓650V， 漏極電流14A，導通電阻RDS(on)(典型值)=0.24Ω@VGS=10V，有T0-252-2L、T0-220F-3L多種封裝。　
　

　　STS65R190F(L8A)(T)(S)S2 漏源電壓650V， 漏極電流20A，導通電阻RDS(on)(典型值)=0.155Ω@VGS=10V，有T0-220F-3L、DFN-48x8x0.85-2.0、T0-220-3L、T0-263-2L多種封裝。

　　

　　650V超結MOSFET系列具有更低的導通損耗和開關損耗、高可靠性、高功率密度，擁有多種封裝形式，能夠滿足不同的電路拓撲結構與終端使用需求，更多低壓、高壓及超結MOS器件替換及產品手冊、參數等方案資料請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>